(1)圧電駆動アクチュエータ
約600um×600umのカンチレバ例
概要
2層のPZT膜およびSiO2膜で構成したバイモルフ型アクチュエータ
特徴
低消費電力 | 圧電体を駆動材として用いることで、消費電力はnWレベルです。 |
---|---|
両側駆動可能 | 独自の2層PZT膜構造で、両側に駆動することが可能です。 片側で、数10umの駆動が可能です(両側駆動ではその倍) |
高い形状安定性 | 環境温度変化での変形を、非常に小さく抑えました。 環境温度が100℃変化した時でも、アクチュエータ先端の変位は1um以下です。 |
変位の検出が可能 | 2層の圧電膜を、駆動用と検出用に用いることで、アクチュエータの位置の検出に応用できます。 |
センサや振動発電等、 受動素子としても使用可能 |
カンチレバの変位を電圧として取り出すことで、センサや振動発電素子として用いることが可能です。 2層の圧電膜を有することで、高い電圧を取り出すことができます。 100um以上の変位が可能です。 おもりと組合せ、加速度検出素子とした例 |
応用例
- 可変容量
- ミラーデバイス
- 加速度、ジャイロ等、各種センサ類
- 振動発電
など
(2)熱駆動アクチュエータ
約600um×600umのカンチレバ例
概要
SiO2膜、金属膜、ヒータで構成した、バイモルフ型アクチュエータ。
特徴
大変位量 | 数Vの印加で、数10umの駆動が可能です。 |
---|---|
高い機械的信頼性 | 一億回以上の駆動が可能です。 |
量産実績 | 弊社テスタ向けに、量産実績あり |
電気学術振興賞受賞 | 本アクチュエータを用いたMEMSデバイスにおいて、第64回電気学術振興賞(進歩賞) (平成20年電気学会)を受賞しました。 |
応用例
- ミラーデバイス
- 温度センサ
など
(3)Siカンチレバ
概要
Siの片持ち梁の先端にめっき積層構造を形成したプローブ針
特徴
- Si深掘りによる梁形状の形成
- 厚膜塗布したレジストを用いためっき構造
- 機械加工装置を利用した微少構造物のチルト切削加工
応用例
- SOIウェハの使用で、Siの梁形状が形成可能です。
成膜されたSiO2などを用いた梁形状やメンブレン構造が形成できます。
- Siへの貫通ホール形成ができます。段差部へのホール形成も可能です。